第一章 集成电路制造工艺发展概况

1.1 集成电路制造工艺发展概况随堂测验

1、世界上第一只晶体管是 材料的晶体管。
    A、硅
    B、锗
    C、砷化镓
    D、氮化镓

2、2000年度的诺贝尔物理学奖授予发明了世界上第一个集成电路的美国科学家‍ ‍,以表彰他为现代信息技术所做出的基础性贡献。
    A、威廉·肖克莱
    B、沃尔特·布拉顿
    C、杰克·基尔比
    D、戈登·摩尔

3、在现代集成电路制造工艺中,先进的制造工艺技术常常采用8英寸的硅片或12英寸的晶圆。其中,晶圆尺寸主要指的是硅片的 。
    A、面积
    B、半径
    C、圆周周长
    D、直径

1.3 集成电路芯片制造超净环境随堂测验

1、每立方英尺中所含直径大于0.5um颗粒数量小于1000,那么该环境的洁净等级为
    A、10级
    B、100级
    C、1000级
    D、10000级

2、所有的物品进入生产之前都必须进行清洁处理才能带入操作间。

3、集成电路的集成度越高,特征尺寸越小,对洁净度的要求越高。

1.3 集成电路芯片制造超净环境随堂测验

1、洁净室内常见的洁净设备包括
    A、风淋
    B、静电自净器
    C、真空除尘器
    D、洁净台

2、净化设备中最核心的是过滤器。

3、对于洁净度高的要求利用高效过滤器,对于洁净度低的采用粗过滤器。

1.4 衬底材料制备随堂测验

1、半导体材料主要有两大类,包括
    A、元素半导体
    B、化合物半导体
    C、硅
    D、锗

2、碳化硅和氮化镓作为衬底材料常用于功率器件。

3、砷化镓属Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,易碎,需轻拿轻放。

4、电子迁移率比硅高6倍,多应用于超高速、超高频器件和集成电路中。

5、锗的禁带宽度比硅大,所制作的器件比硅耐高温。

1.4 衬底材料制备随堂测验

1、单晶硅生长需要满足的条件包括
    A、加热多晶硅,使原子重新排列
    B、籽晶作为标准
    C、过冷温度使原子稳定
    D、退火

2、常见的制备单晶硅的方法有
    A、直拉法(CZ)
    B、悬浮区熔法(FZ)
    C、蒸发
    D、溅射

3、三氯氢硅的氢还原法可以制备单晶硅。

4、直拉法制备的单晶直径比较大,杂质也比悬浮区熔法制备的单晶少。

5、剩下不多的多晶硅时,要提高温度和提拉速度,进行收尾拉光,否则容易引起坩埚的破裂。

1.4 衬底材料制备随堂测验

1、确定单晶硅导电类型的方法是
    A、四探针法
    B、热探针法
    C、范德堡法
    D、磨角法

2、少数载流子寿命测试方法是
    A、探针法
    B、磨角法
    C、光电导衰减法
    D、滚槽法

3、常用的电阻率的测试方法是
    A、热探针法
    B、四探针法
    C、磨角法
    D、滚槽法

4、位错是一种点缺陷,由晶胞错位引起的。

1.4 衬底材料制备随堂测验

1、为了去除表面的杂质、缺陷,进一步去除硅片表面微量的损伤层,需要进行的工艺是
    A、倒角
    B、磨片
    C、化学腐蚀
    D、CMP

2、单晶硅棒形成之后,我们首先需要对其进行掐头去尾和径向研磨。

3、切片之前必须采用光点定向法对单晶硅进行定晶向。

4、一般8in以上的硅片采用内圆切割,8in以下的硅片采用线锯切割。

5、利用一定的刃部轮廓的砂轮磨掉硅片边缘的棱角,使之变得光滑的工艺为

第一单元 单元测验

1、双极型晶体管的制作工艺流程中,一般首先制备的是 ,其次制备的是 ,最后制备的是 。
    A、集电区、基区、发射区
    B、基区、发射区、集电区
    C、栅区、源区、漏区
    D、发射区、基区、集电区

2、集成电路的绝缘介质隔离技术中,最常用的介质是 。
    A、二氧化硅
    B、氮化硅
    C、多晶硅
    D、单晶硅

3、常用的电阻率的测试方法是 。
    A、四探针法
    B、热探针法
    C、三探针法
    D、范德堡法

4、少数载流子寿命测试方法是 。
    A、光电导衰减法
    B、四探针法
    C、热探针法
    D、范德堡法

5、确定单晶硅导电类型的方法是 。
    A、热探针法
    B、四探针法
    C、三探针法
    D、范德堡法

6、为了去除表面的杂质、缺陷,进一步去除硅片表面微量的损伤层,需要进行的工艺是 。
    A、CMP
    B、研磨
    C、倒角
    D、化学腐蚀

7、当前半导体材料 应用最广泛的是 。
    A、硅
    B、锗
    C、砷化镓
    D、锗硅材料

8、硅片制备过程中 常常采用的定向方法是 。
    A、光点定向
    B、金刚砂
    C、CMP
    D、研磨

9、半导体行业用到的多晶硅纯度一般为 。
    A、电子级纯
    B、分子级纯
    C、原子级纯
    D、纳米级纯

10、每立方英尺中所含直径大于0.5um颗粒数量小于1000,那么该环境的洁净等级为 。
    A、1000级
    B、10000级
    C、10级
    D、100级

11、集成电路,按照功能可以分为 。
    A、双极型集成电路、MOS集成电路
    B、数模混合集成电路
    C、数字集成电路
    D、模拟集成电路

12、集成电路的制造工艺,需要采用隔离技术,常见的隔离方法有 。
    A、外延隔离
    B、埋层隔离
    C、PN结隔离
    D、介质隔离

13、制备单晶硅的方法有 。
    A、直拉法
    B、悬浮区熔法
    C、四探针法
    D、范德堡法

14、单晶硅生长需要满足的条件 。
    A、加热,原子重新排列
    B、籽晶
    C、过冷温度
    D、浓度梯度

15、直拉法制备单晶时,单晶炉中的电气控制系统主要控制的工艺参数有 。
    A、温度
    B、气压
    C、提拉速度
    D、转速

16、多晶硅的制备方法有 。
    A、三氯氢硅的氢还原法
    B、二氯氢硅的氢还原法
    C、硅烷的热分解法
    D、直拉法

17、直拉法制备硅单晶时,常常含有的杂质包括 。
    A、碳
    B、氧
    C、金属
    D、颗粒

18、半导体材料的特性主要包括 。
    A、电阻率的负温度系数比较大
    B、电阻率与随杂质或缺陷变关系很大
    C、霍尔效应和光点效应明显
    D、与金属接触容易出现整流效应

19、过滤器根据过滤效率一般可分为 。
    A、粗过滤器
    B、中效过滤器
    C、亚高效过滤器
    D、高效过滤器

20、直拉法制备的单晶直径比较大,杂质也比悬浮区熔法制备的单晶少。

21、剩余不多的多晶硅时,要提高温度和提拉速度,进行收尾拉光,否则容易引起坩埚的破裂。

22、利用三氯氢硅的氢还原法可以制备单晶硅。

23、位错是一种点缺陷,由晶胞错位引起的。

24、单晶硅棒形成之后,我们首先需要对其进行掐头去尾和径向研磨。

25、切片之前必须采用光点定向法对单晶硅进行定晶向。

26、一般8in以上的硅片采用内圆切割,8in以下的硅片采用线锯切割。

27、如果一个晶格原子进入间隙并产生空位,即间隙原子和空穴同时产生,这种缺陷称为弗伦克尔缺陷。

28、所有的物品进入生产之前都必须进行清洁处理才能带入操作间。

29、集成电路的集成度越高,特征尺寸越小,对洁净度的要求越高。

30、净化设备中最核心的是过滤器。

31、对于洁净度高的要求利用高效过滤器,对于洁净度低的采用粗过滤器。

32、硅的禁带宽度比锗大,所制作的器件比锗耐高温。

33、碳化硅和氮化镓作为衬底材料常用于功率器件。

34、砷化镓属Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,易碎,需轻拿轻放。

35、电子迁移率比硅高6倍,多应用于超高速、超高频器件和集成电路中。

36、特征尺寸是衡量集成电路设计和制造水平的重要尺度,它主要是指集成电路的关键尺寸,常用单位是微米和 。

37、利用一定的刃部轮廓的砂轮磨掉硅片边缘的棱角,使之变得光滑的工艺为 。

38、目前常见的半导体材料包括元素半导体和 。

39、单晶硅形成时,必须要有一个排列标准,这个标准称为 。

40、利用高频感应线圈对多晶硅逐段熔化,在多晶硅锭下方装置籽晶,熔区从籽晶和多晶硅锭界面开始,熔区推进,单晶拉制成功,该方法是 。

第一章 单元作业

1、简要说明你所理解的摩尔定律。

2、由单晶硅到硅片需要经过哪些工艺过程?简要说明每一步的作用?

第二章 薄膜制备技术

2.1 半导体生产中常用的薄膜随堂测验

1、用于解决铝尖刺问题的方法主要有哪些?
    A、重掺杂
    B、硅化金属
    C、阻挡金属
    D、铝铜合金

2、集成电路中常常用于插塞的金属是什么?
    A、铝
    B、铜
    C、钨
    D、钛

3、二氧化硅的作用有哪些?
    A、选择性扩散的掩蔽层
    B、器件的保护和钝化层
    C、隔离和绝缘介质
    D、MOS管的绝缘栅材料

4、二氧化硅作为选择性扩散的条件有哪些?
    A、温度
    B、浓度梯度
    C、二氧化硅膜足够厚
    D、杂质在二氧化硅中的扩散系数远远小于在硅中的扩散系数

5、金属铝互连常常出现的问题是什么?
    A、铝尖刺
    B、电迁移
    C、鸟嘴效应
    D、沟道效应

6、解决铝互连电迁移问题的方法有哪些?
    A、铝硅合金
    B、铝硅铜合金或铝铜合金
    C、阻挡金属
    D、采用三层夹心结构 或者竹状结构

7、集成电路互连常常用难熔金属与多晶硅形成金属硅化物,常用的难熔金属有哪些?
    A、钛
    B、钽
    C、金
    D、铝

8、金属薄膜在集成电路中有哪些作用?
    A、连接作用
    B、接触作用
    C、抗反射作用
    D、阻挡作用

9、铜作为金属互连材料有哪些缺点?
    A、容易氧化
    B、不容易刻蚀图形
    C、导电能力差
    D、铜在硅中和氧化硅中的扩散速率快

10、氮化硅性能比二氧化硅更加稳定,介电常数更大,因此可以得到更高的击穿电压。

11、多晶硅不仅可以作为栅材料,还可以作为局部互连材料,例如栅的互连。

12、砷化镓也是一种常见的半导体材料,属于化合物半导体,常用于制作超高速的晶体管和集成电路和各种半导体发光器件。

13、铝的电阻率比铜低,因此导电能力更强。

14、硅化钛和硅化钽常常用作金属互连工艺中的反射层和阻挡层

15、解决铝互连中肖特基接触的方法是在电极引出部分进行

2.2 薄膜生长-SiO2的热氧化随堂测验

1、要产生1000埃厚度的二氧化硅,需要消耗多少厚度的硅
    A、1000埃
    B、440埃
    C、560埃
    D、2200埃

2、影响热氧化速率中,哪种因素是最重要的?
    A、温度
    B、压力
    C、晶向
    D、掺杂

3、增加热氧化速率的方法有哪些?
    A、增加氧化剂压力
    B、提高温度
    C、进行掺杂
    D、选用合适的氧化方法,例如湿氧氧化

4、二氧化硅厚度的测试方法有哪些?
    A、比色法
    B、光学干涉法
    C、椭圆偏振法
    D、四探针法

5、氧化层表面的缺陷有哪些?
    A、斑点
    B、裂纹
    C、白雾
    D、层错

6、热氧化反应一般发生在硅和二氧化硅的界面。

7、热氧化的速率与晶圆的晶向有关,但与氧化剂压力无关。

8、掺氯氧化可以减少氧化层错堆垛,吸附钠离子。

9、氢氧合成氧化结束时,必须将氧化炉中的氢气去除干净。

10、在高温条件下,硅与氧化剂反应,产生二氧化硅的工艺过程是

2.3 化学气相淀积随堂测验

1、LPCVD的含义是
    A、低压化学气相淀积
    B、常压化学气相淀积
    C、等离子体化学气相淀积
    D、光化学气相淀积

2、PECVD 的含义是
    A、低压化学气相淀积
    B、常压化学气相淀积
    C、等离子体增强化学气相淀积
    D、光化学气相淀积

3、对于已经完成金属化工艺,介质的淀积常常采用哪种方法
    A、APCVD
    B、LPCVD
    C、PECVD
    D、LCVD

4、可用于制备二氧化硅薄膜的CVD 方法有哪些?
    A、APCVD
    B、LPCVD
    C、PECVD
    D、LCVD

5、氮化硅的CVD制备方法有哪些?
    A、APCVD
    B、LPCVD
    C、PECVD
    D、LCVD

6、利用硅烷制备多晶硅时,必须将硅烷进行稀释,否则会产生爆炸。

7、金属钨常常采用CVD方法制备。

8、金属钛常常采用TiCl4氢还原法制备。

9、PECVD方法制备薄膜的温度比较低,LPCVD的方法比较高,因此前者适应于金属前介质,后者应用与金属层间介质。

10、利用气体 混合的化学反应在硅片表面淀积一层固体薄膜的工艺过程是

2.4 物理气相淀积随堂测验

1、通过加热,使待淀积的金属原子获得足够的能量,脱离金属表面蒸发出来,在飞行途中遇到硅片,就淀积在硅表面,形成金属薄膜,该工艺过程是
    A、CVD
    B、氧化
    C、蒸发
    D、溅射

2、蒸发的方式除了电阻丝加热蒸发还有哪种蒸发方式?
    A、MOCVD
    B、电子束蒸发
    C、VPE
    D、MBE

3、电子束蒸发比电阻丝加热蒸发设备,多了下面哪一个部件?
    A、偏转电子枪
    B、灯丝
    C、直流电源
    D、交流电源

4、直流溅射和射频溅射都可以用来制备金属薄膜。

5、磁控溅射可以提高氩气的离化率,并将二次电子束缚在靶周围的区域,提高溅射的效率。

6、利用高能氩离子轰击靶材,靶材原子被撞击,脱离出来,在硅片表面形成薄膜的工艺过程是

2.5 外延生长随堂测验

1、VPE的含义是
    A、气相外延
    B、分子束外延
    C、金属有机物化学气相外延
    D、正外延

2、MOCVD的含义
    A、气相外延
    B、分子束外延
    C、金属有机物化学气相淀积
    D、溅射

3、气相外延生长硅需要进行抛光,常用的抛光物质是
    A、HCl
    B、HF
    C、Cl2
    D、CF4

4、气相外延生长硅时,SiCl4的浓度越高越好。

5、MBE的含义是

第二章 单元测验

1、几种热氧化方法中, 方法生长的薄膜结构最致密,纯度最高。
    A、干氧氧化
    B、水汽氧化
    C、湿氧氧化
    D、掺氯氧化

2、在半导体生产中,常常采用的二氧化方式是干-湿-干氧化,湿氧氧化的作用是: 。
    A、得到较好的表面特性
    B、较短的时间得到较厚的薄膜
    C、较好的硅/二氧化硅界面特性
    D、提高氧化膜的质量

3、集成电路中具有比较好的身宽比填充能力,可以作为插塞的金属是: 。
    A、钨
    B、铜
    C、铝
    D、钛

4、集成电路电极引出的地方,通常采用重掺杂,目的是: 。
    A、形成肖特基接触
    B、形成欧姆接触
    C、解决铝尖刺
    D、解决电迁移

5、以下各种方法中,不是制备金属的常用方法的是: 。
    A、电阻丝加热蒸发
    B、电子束蒸发
    C、溅射
    D、氧化

6、外延生长硅常用的方法是: 。
    A、MOCVD
    B、MBE
    C、VPE
    D、PVD

7、要产生2000埃厚度的二氧化硅,需要消耗 厚度的硅。
    A、8800埃
    B、88埃
    C、8.8埃
    D、880埃

8、电子束蒸发比电阻丝加热蒸发设备,多出的部件为: 。
    A、偏转电子枪
    B、灯丝
    C、硅片
    D、磁场

9、气相外延生长硅需要进行抛光,常用的抛光物质是: 。
    A、HF
    B、HCl
    C、Cl2
    D、CF4

10、PECVD相对LPCVD方法来说,显著的优点是: 。
    A、温度比较低
    B、薄膜制备的纯度比较高
    C、淀积速度比较快
    D、淀积的薄膜结构比较致密

11、以下方法中不是常见的溅射方法的是: 。
    A、磁控溅射
    B、直流溅射
    C、射频溅射
    D、刻蚀溅射

12、外延层薄膜厚度测试方法是: 。
    A、层错法
    B、四探针法
    C、磨角法
    D、滚槽法

13、以下因素中哪些不是影响外延生长速率的因素: 。
    A、反应温度
    B、四氯化碳的浓度
    C、衬底晶向
    D、抛光速度

14、以下各项中,不属于外延层常见的表面缺陷的是: 。
    A、角锥体
    B、层错
    C、云雾状表面
    D、划痕

15、以下方法中,可用于绝缘介质的淀积的是: 。
    A、电阻丝加热蒸发
    B、电子束蒸发
    C、直流溅射
    D、射频溅射

16、金属钨的制备常常采用的方法是 。
    A、PVD
    B、CVD
    C、MBE
    D、VPE

17、可以采用双大马士革工艺的互连是: 。
    A、铝互连
    B、铜互连
    C、金互连
    D、钛互连

18、可用于产生二氧化硅薄膜的CVD 方法有 。
    A、APCVD
    B、LPCVD
    C、PECVD
    D、氧化

19、影响热氧化速率的因素有: 。
    A、温度
    B、氧化方式
    C、压力
    D、掺杂

20、掺氯氧化的优点包括: 。
    A、减少界面陷阱电荷
    B、吸附钠离子
    C、抑制氧化层错
    D、薄膜纯度提高

21、二氧化硅厚度测量方法有: 。
    A、比色法
    B、光学干涉法
    C、椭圆偏振法
    D、四探针法

22、常见的化学气相淀积方法有: 。
    A、APCVD
    B、LPCVD
    C、PECVD
    D、HDPCVD

23、铝互连中常见的问题包括: 。
    A、易氧化
    B、铝尖刺
    C、电迁移
    D、肖特基接触

24、氮化硅制备常用的CVD 方法是: 。
    A、APCVD
    B、LPCVD
    C、PECVD
    D、LCVD

25、集成电路生产中常用的外延技术有: 。
    A、APCVD
    B、LPCVD
    C、PECVD
    D、LCVD

26、常见的PVD薄膜制备方法包括: 。
    A、热氧化
    B、蒸发
    C、溅射
    D、刻蚀

27、蒸发的方式分为: 。
    A、电子丝加热蒸发
    B、电子束蒸发
    C、薄膜蒸发
    D、钨丝蒸发

28、外延的作用是: 。
    A、改善器件或电路的功率特性和频率特性
    B、易于实现器件的隔离
    C、提高材料的完美型
    D、增加工艺设计和制造的灵活性

29、氮化硅性能比二氧化硅更加稳定,介电常数更大,因此可以得到更高的击穿电压。

30、铝的电阻率比铜低,因此导电能力更强。

31、硅化钛和硅化钽常常用作金属互连工艺中的反射层和阻挡层。

32、多晶硅不仅可以作为栅材料,还可以作为局部互连材料,例如栅的互连。

33、金属薄膜在集成电路中有连接作用、接触作用、阻挡作用和抗反射作用。

34、集成电路互连常常用难熔金属与多晶硅形成金属硅化物,常用的难熔金属铜、铝等。

35、二氧化硅作为选择性扩散的条件有浓度梯度和一定的温度。

36、影响热氧化速率中,晶向是最重要的。

37、在一定范围内,热氧化的速率随着温度的增加成线性提高。

38、热氧化反应一般发生在硅和二氧化硅的界面。

39、氢氧合成氧化结束时,必须将氧化炉中的氢气去除干净。

40、对于已经完成金属化工艺,介质的淀积常常采用LPCVD方法

41、利用硅烷制备多晶硅时,必须将硅烷进行稀释,否则会产生爆炸。

42、直流溅射和射频溅射都可以用来制备金属薄膜。

43、磁控溅射可以提高氩气的离化率,并将二次电子束缚在靶周围的区域,提高溅射的效率。

44、气相外延生长硅时,SiCl4的浓度越高越好。

45、MBE常常用于化合物半导体的外延层生长,例如砷化镓等等。

46、金属钛常常采用PVD技术进行制备。

47、外延生长结束时必须进行降温取片。

48、外延生长过程中,防止曾错的方法是利用H2清除硅片表面的损伤层。

49、蓝宝石上可以外延生长硅。

50、电子束蒸发的薄膜比电阻丝加热蒸发杂质沾污少,纯度更高。

51、用于解决铝尖刺问题的方法主要有阻挡金属和 。

52、相比电阻丝加热蒸发用于易熔金属,常用于3000℃以上的难熔金属的制备方法是: 。

53、常用于金属层间介质淀积的CVD方法是: 。

54、常常用于钨插塞的阻挡层或者附着层的钛的化合物为: 。

55、几种测量二氧化硅厚度的方法中,最精确的是: 。

56、半导体生产中常常采用的氧化方法是: 。

57、采用铝硅铜合金可以解决铝互连中的 问题。

58、常常用于绝缘介质隔离的物质是: 。

59、目前常用的栅材料是: 。

60、通过提高反应室内氧或者水蒸气的密度,提高氧化速率的氧化方式是: 。

第二章 单元作业

1、热氧化有哪几种方法?它们的原理和优缺点是什么?

2、简要叙述几种CVD的方法及其原理和特点?

3、简要叙述几种PVD方法及其原理和特点?

4、简要叙述几种常见的外延技术及其特点?

第三章 光刻技术

3.1 光刻工艺的基本原理随堂测验

1、光刻技术的三大要素是
    A、曝光机
    B、掩膜版
    C、光刻胶
    D、显影液

2、影响半导体器件或者集成电路横向尺寸的工艺过程是扩散。

3、光刻技术是集成电路制造工序中的核心工序之一,直接影响器件的性能。

4、在集成电路中,将掩膜版上的图形转移到光刻胶上的图形化工艺是

5、光刻工艺中常用的光源是

3.2 光刻胶随堂测验

1、曝光后,光刻胶的溶解性由不溶变成可溶,通过显影可以将其曝光部分去除,这种胶称为
    A、正胶
    B、负胶
    C、光致抗蚀剂
    D、光阻

2、光刻胶的主要成分是
    A、树脂
    B、溶剂
    C、增感剂
    D、其他活性剂或者稳定剂等

3、光刻胶根据溶解性的变化,可以分为
    A、正胶
    B、负胶
    C、中性胶
    D、光阻

4、正胶与二氧化硅的粘附性比较好,但是分辨率缺比较低。

5、PR的含义是

3.3 光刻工艺的基本流程随堂测验

1、常见的光学曝光方式有
    A、接触式
    B、接近式
    C、投影式
    D、扫描式

2、影响光刻胶厚度的因素主要有
    A、黏度
    B、转速
    C、抗蚀性
    D、分辨率

3、产生紫外光的装置通常是高压汞灯和准分子激光。

4、一般软烘的温度比坚膜更高,时间更长一些。

5、将曝光后的硅片放入某种化学溶液后,部分光刻胶去除,该工序称为

3.4 先进的光刻工艺随堂测验

1、极紫外光的光源波长是
    A、193nm
    B、228nm
    C、13nm
    D、135nm

2、以下几种光刻方法中,属于非光学曝光的是
    A、电子束光刻
    B、离子束光刻
    C、X射线光刻
    D、浸润式光刻

3、以下方法中,哪些可以提高光刻的分辨率
    A、利用透镜减少衍射
    B、移相掩膜技术
    C、临近效应修正技术
    D、离轴照明技术

4、一般情况下,光源的波长越长,分辨率越高。

5、可以通过增大数值孔径来提高光刻的分辨率。

第三章 单元测验

1、极紫外光的光源波长是: 。
    A、193nm
    B、218nm
    C、13nm
    D、135nm

2、以下方法中,不可以提高光刻的分辨率的是: 。
    A、增加波长
    B、离轴照明技术
    C、临近效应修正技术
    D、移相掩膜技术

3、集成电路中的图形化工艺一般分为两步,一步是将掩膜版上的图形转移到光刻胶上,称为: 。
    A、光刻
    B、曝光
    C、显影
    D、刻蚀

4、以下各种中,哪些不是软烘的作用: 。
    A、去除胶中的溶剂
    B、增强光刻胶的粘附性
    C、减少产生的应力
    D、增强薄膜的抗腐蚀能力

5、在曝光之前需要将掩膜版上的对准记号与硅片上的对准记号对准,该工序称为: 。
    A、对准
    B、套刻
    C、光刻
    D、刻蚀

6、利用一定的化学试剂将经过曝光后的可溶性的光刻胶溶解掉,从而在光刻胶上显示出掩膜版相对应的图形,该工序称为: 。
    A、涂胶
    B、曝光
    C、显影
    D、刻蚀

7、以下各种光刻技术中,不属于非光学曝光的是: 。
    A、电子束光刻
    B、离子束光刻
    C、X射线光刻
    D、浸润式光刻

8、利用透镜将衍射的光聚焦,提高分辨率的方法为: 。
    A、利用透镜减少衍射技术
    B、移相掩膜技术
    C、离轴照明技术
    D、浸润式光刻技术

9、利用光学镜头和晶圆之间的介质,由水代替空气的光刻技术称为: 。
    A、离轴照明技术
    B、移相掩膜技术
    C、浸润式光刻技术
    D、接触式光刻技术

10、通常,光刻的分辨率与波长之间的关系是: 。
    A、波长越短,分辨率越高
    B、波长越短,分辨率越低
    C、波长与分辨率关系不大
    D、波长与分辨率之间的关系不确定

11、以下几种光刻方法中,属于光学曝光的是: 。
    A、接触式
    B、接近式
    C、投影式
    D、扫描式

12、光刻胶,又称光致抗蚀剂,主要成分是: 。
    A、感光剂(树脂)
    B、增感剂
    C、溶剂
    D、其他添加剂,例如活性剂等。

13、影响光刻胶厚度的因素主要有: 。
    A、转速
    B、光刻胶的黏度
    C、抗腐蚀性
    D、均匀性

14、生产中中,产生紫外光的装置通常是: 。
    A、高压汞灯
    B、准分子激光
    C、钠灯
    D、灯丝

15、光刻技术的三大要素是: 。
    A、曝光机
    B、掩膜版
    C、显影液
    D、光刻胶

16、光刻的工艺要求是: 。
    A、图形完整,尺寸准确
    B、套准对准,套准精度高
    C、表面干净
    D、具有一定的工艺宽容度

17、光刻胶的主要性能指标包括: 。
    A、抗蚀性
    B、灵敏度
    C、分辨率
    D、粘附性

18、光刻工艺首先要对硅片进行预处理,主要包括: 。
    A、平整度和清洁度的检查
    B、清洗
    C、烘焙
    D、增粘初六

19、旋转涂胶的过程主要包括: 。
    A、滴胶
    B、加速旋转
    C、甩胶
    D、溶剂挥发

20、软烘的方法有很多,例如: 。
    A、烘箱
    B、红外
    C、热板
    D、电阻丝

21、投影式光刻技术主要包括: 。
    A、扫描投影
    B、步进投影
    C、扫描步进投影
    D、接触投影

22、坚膜工艺的主要参数包括: 。
    A、时间
    B、温度
    C、湿度
    D、光源

23、生产中可以通过减小数值孔径来提高光刻的分辨率。

24、一般情况下,光源的波长越长,分辨率越高。

25、光刻胶根据溶解性的变化,可以分为正胶和负胶,前者分辨率更高。

26、PR的含义是光刻胶,又称光阻,主要作用是感光和抗腐蚀。

27、一般软烘的温度比坚膜更高,时间短长一些。

28、影响半导体器件或者集成电路横向尺寸的工艺过程是光刻。

29、光刻技术是集成电路制造工序中的核心工序之一,主要实现图形化,直接影响器件的性能。

30、光刻工艺中常用的光源是黄光。

31、光刻是一种图形复印和刻蚀技术相结合的精密表面加工技术。

32、环化橡胶类光刻胶是正胶。

33、在半导体光刻技术中,最早使用的是负性光刻胶,它具有良好的粘附性。

34、涂胶的目的是在硅片表面得到一层均匀覆盖的具有一定厚度的光刻胶薄膜。

35、涂胶时,必须注意选择合适的环境湿度和温度。

36、投影式曝光比接近式曝光、接触式曝光的分辨率更高一些。

37、二甲苯常常作为正胶的显影液。

38、为了有效的反射EUV光线,在掩膜制作时,需要在基体材料上覆盖多层Mo/Si薄膜。

39、KOH常用于负胶的显影液、

40、涂胶之前,通常需要进行增粘处理,一般采用HMDS。

41、通常只有某一波长范围的光线才能使光刻胶发生化学反应。

42、曝光后,光刻胶的溶解性由不容变成可溶,通过显影可以将其曝光部分去除,这种胶称为: 。

43、利用激光产生等离子体源产生13nm的紫外波长进行光刻的技术为: 。

44、能够产生365nm、405nm、436nm波长的紫外线的光源是: 。

45、不管是软烘还是坚膜,当前应用最多的加热方式是: 。

46、当前应用比较多的涂胶方式是: 。

47、光刻胶的性能指标中,最重要的是: 。

48、掩膜版和光刻胶之间留有一定的缝隙用于提高掩膜版的使用寿命,该曝光方式是: 。

49、在一定温度下对显影后的硅片进行烘焙,除去显影时胶膜所吸收的显影液和残留水分,该工序称为: 。

50、通过在光掩模的某些透明图形上增加或者减少一个透明的介质层,光波透过这个介质层之后产生180°的相位差,以此来提高光刻的分辨率的技术称为: 。

51、光刻时需要多片掩膜版,每一掩膜版的图形都需要进行: 。

第三章 单元作业

1、简要叙述光刻工艺的流程及每一步的作用?

2、根据溶解性的变化,光刻胶分为哪几类?他们的原理和特点是什么?

第四章 刻蚀技术

4.1 刻蚀的基本概念随堂测验

1、刻蚀根据是否采用化学溶液分为
    A、干法刻蚀
    B、湿法刻蚀
    C、等离子体刻蚀
    D、溅射刻蚀

2、刻蚀的工艺要求包括
    A、分辨率高,图形保真度好
    B、各向异性刻蚀
    C、选择性好
    D、刻蚀清洁

3、刻蚀因子主要是判定刻蚀过程是各向同性或者各向异性。

4、刻蚀的工艺要求中最重要是刻蚀图形的保真度好,分辨率高。

5、利用物理或者化学方法将没有被光刻胶覆盖的下层材料去除的工艺是

4.2 湿法刻蚀随堂测验

1、氮化硅湿法刻蚀常常采用的湿法腐蚀液为
    A、HF
    B、HNO3
    C、H3PO4
    D、H2SO4

2、二氧化硅湿法刻蚀常采用的腐蚀液成分主要包含
    A、HF
    B、NH4F
    C、H202
    D、H2O

3、硅湿法刻蚀常采用的湿法腐蚀液成分包括
    A、HF
    B、H2O2
    C、HNO3
    D、H2O

4、湿法刻蚀的选择性比较好,但是为各向异性刻蚀。

5、湿法刻蚀的分辨率比干法刻蚀的分辨率高。

4.3 干法刻蚀随堂测验

1、反应离子刻蚀进行刻蚀过程中
    A、既有物理作用,又有化学作用
    B、物理作用
    C、化学作用
    D、既不是物理作用也不是化学作用

2、二氧化硅干法刻蚀常常采用哪种气体的等离子体形式
    A、HCl
    B、Cl2
    C、HF
    D、B2H6

3、铝进行干法刻蚀时,常常采用哪种物质?
    A、BClx和Cl2
    B、HF
    C、HCl
    D、SF2

4、常见的干法刻蚀方法主要包括
    A、等离子体刻蚀
    B、离子铣
    C、反应离子刻蚀
    D、湿法刻蚀

5、干法刻蚀比较清洁,各向异性刻蚀,分辨率比较高。

4.4 去胶随堂测验

1、氧化去胶时,常用的氧化剂是
    A、H2SO4和H2O2
    B、乙醇
    C、丙酮
    D、甲苯

2、去胶的方法主要有
    A、溶剂去胶
    B、等离子体去胶
    C、氧化去胶
    D、刻蚀去胶

3、刻蚀之后,光刻胶已经不再需要,此时将光刻胶去除的工艺称为去胶

4、去胶时,常常将有金属的表面和无金属表面进行区分,他们采用不同的去胶方法。

5、等离子体去胶是一种干法去胶,表面比较干净,去胶效果比较好。

第四章 单元测验

1、氮化硅湿法刻蚀常常采用的湿法腐蚀液为: 。
    A、氢氟酸
    B、磷酸
    C、硝酸
    D、硫酸

2、硅湿法刻蚀常采用的腐蚀液成分不包含: 。
    A、HF
    B、HNO3
    C、H2O2
    D、H2O

3、铝的湿法腐蚀液成分主要是: 。
    A、硝酸
    B、磷酸
    C、硫酸
    D、氢氟酸

4、二氧化硅干法刻蚀常常采用哪种气体的等离子体形式: 。
    A、CF4
    B、HCl
    C、BClx
    D、Cl2

5、利用物理的轰击作用实现干法刻蚀的是: 。
    A、溅射刻蚀
    B、等离子体刻蚀
    C、反应离子刻蚀
    D、干法刻蚀

6、去胶的方法主要有: 。
    A、溶剂去胶
    B、氧化去胶
    C、等离子体去胶
    D、溅射去胶

7、氧化去胶时,常用的氧化剂是: 。
    A、HF
    B、HNO3
    C、H2SO4
    D、H2O2

8、铝进行干法刻蚀时,常常采用哪种物质: 。
    A、HF
    B、HCl
    C、Cl2
    D、BClx

9、常见的干法刻蚀方法主要包括: 。
    A、等离子体刻蚀
    B、离子铣
    C、反应离子刻蚀
    D、氧化刻蚀

10、刻蚀根据是否采用化学溶液分为: 。
    A、干法刻蚀
    B、湿法刻蚀
    C、等离子体刻蚀
    D、溅射刻蚀

11、SiO2常用的湿法腐蚀液称为BOE,它的成分包括: 。
    A、HF
    B、NH4F
    C、H2O2
    D、H2O

12、湿法刻蚀的选择性比较好,但是为各向异性刻蚀。

13、干法刻蚀的分辨率比湿法刻蚀的分辨率高,更加干净。

14、去胶时,常常将有金属的表面和无金属表面进行区分,它们采用不同的去胶方法。

15、等离子体去胶是一种干法去胶,表面比较干净,去胶效果比较好。

16、刻蚀因子主要是判定刻蚀过程是各向同性或者各向异性。

17、刻蚀的工艺要求中最重要是刻蚀图形的保真度好,分辨率高。

18、刻蚀要求均匀性好,保真度好,选择比高,清洁度高。

19、含硅氧化物利用HF进行干法刻蚀时,若加入氧气,则会提高刻蚀速率和选择比。

20、采用化学溶液进行湿法刻蚀时,必须注意产生的物质能够挥发或者溶解,不能出现沉淀物,否则会影响到刻蚀的进行。

21、刻蚀之后,光刻胶已经不再需要,此时将光刻胶去除的工艺称为: 。

22、既有物理作用又有化学作用的干法刻蚀方法是: 。

23、利用物理或者化学方法将没有被光刻胶覆盖的下层材料去除的工艺是: 。

24、刻蚀的主要参数包括刻蚀速率、刻蚀因子、刻蚀选择性、刻蚀清洁度和 。

25、SiO2的湿法刻蚀溶液中加入 物质,可以减缓刻蚀速率。

第四章 单元作业

1、常见的刻蚀方法分为哪两类及其他们的特点?

2、硅、二氧化硅、氮化硅、铝、砷化镓常见的湿法腐蚀液是什么,简要说明原理或者写出反应应式。

第五章 掺杂技术

5.1 扩散的基本原理随堂测验

1、热扩散常常遵循什么什么定律
    A、牛顿定律
    B、菲克定律
    C、霍尔定律
    D、迪克定律

2、恒定源扩散的杂质分布符合
    A、高斯函数
    B、余误差函数
    C、抛物线函数
    D、线性函数

3、有限源扩散杂质分布符合
    A、高斯函数
    B、余误差函数
    C、抛物线函数
    D、指数函数

4、热扩散的条件是
    A、温度
    B、晶向
    C、浓度梯度
    D、掺杂

5、杂质的扩散系数D 与下列哪些因素有关?
    A、温度
    B、杂质材料
    C、衬底材料
    D、晶向

6、根据扩散杂质在晶格中的位置不同,将扩散分为
    A、替位式扩散
    B、恒定源扩散
    C、间隙式扩散
    D、有限源扩散

7、根据扩散的过程可以分为
    A、预淀积
    B、再分布
    C、替位式扩散
    D、间隙式扩散

8、以下各种中影响杂质扩散的因素有哪些?
    A、内建电场
    B、基区陷落效应
    C、氧化增强扩散
    D、高浓度磷扩散

9、再分布扩散时,常常通入氧气,同时进行氧化过程,又称氧化推进工艺。

10、在一定温度条件下,杂质原子由高浓度向低浓度运动的过程,称为

5.2 扩散方法随堂测验

1、常见的液态硼源扩散为
    A、POCl3
    B、P2O5
    C、PH3
    D、H3PO4

2、常见的固态硼源扩散杂质源为
    A、B(OCH3)3
    B、B2H6
    C、BN
    D、B2O3

3、埋层扩散中常常用到的物质是
    A、硼
    B、磷
    C、锑
    D、砷

4、常见的硼源扩散的杂质源有
    A、B(OCH3)3
    B、B2H6
    C、BBr3
    D、BN

5、金在半导体硅中主要作为复合中心,减少载流子寿命,提高器件开关速度。

5.3扩散的质量参数及检测随堂测验

1、方块电阻的测量方法是
    A、四探针法
    B、热探针法
    C、磨角染色法
    D、滚槽法

2、表征扩散质量的主要参数是:
    A、扩散结深
    B、方块电阻
    C、表面质量
    D、表面浓度

3、结深的测量方法有
    A、热探针法
    B、四探针法
    C、磨角染色法
    D、滚槽法

4、方块电阻是指电流流经一个长宽相等,厚度为Xj的扩散层所显示出来的电阻。

5、PN结所在的几何面到硅片表面的距离,称为

5.4离子注入的基本原理随堂测验

1、离子注入过程中,离子穿入硅片的总距离,称为
    A、投影射程
    B、离子射程
    C、横向射程
    D、标准偏差

2、由于衬底晶向排列比较规则,注入的离子没有与硅原子碰撞,穿入到硅衬底很深的位置的现象称为
    A、退火
    B、鸟嘴效应
    C、晶格损伤
    D、沟道效应

3、解决沟道效应的方法有
    A、退火
    B、将硅片倾斜一定的角度
    C、在洁净硅表面铺一层非晶物质
    D、破坏表面硅原子的结构

4、离子注入与扩散工艺相比,具有很好的均匀性,注入杂质纯度比较高。

5、离子注入中,投影射程及标准偏差,除了与材料有关外,还与注入能量有关。

5.5离子注入的设备随堂测验

1、能够使注入的离子偏转,中性原子被收集的是
    A、磁分析器
    B、中性束流陷阱
    C、加速管
    D、扫描系统

2、靶室的一个重要任务就是监控离子注入剂量,可以利用法拉第杯的传感器来测量离子束电流。

3、为了获得不同的结深,可以调节离子注入的参数是

4、将气体电离,产生离子,并通过吸极,形成离子束的是

5、能够挑选出唯一需要注入离子的是

5.6离子注入的损伤与退火随堂测验

1、退火的作用是
    A、激活杂质
    B、修复晶格损伤
    C、抑制沟道效应
    D、得到合适的杂质分布

2、杂质注入之后就会占据晶格位置,产生活性,参与导电。

3、普通热退火升温很慢,降温也很慢,会影响注入杂质的分布,因此我们常常采用

第五章 单元测验

1、热扩散常常遵循什么什么定律
    A、基尔定律
    B、牛顿定律
    C、菲克定律
    D、霍尔定律

2、恒定源扩散的杂质分布符合
    A、高斯函数
    B、余误差函数
    C、线性函数
    D、抛物线函数

3、埋层扩散中常常用到的物质是
    A、硼
    B、砷
    C、磷
    D、锑

4、常见的固态硼源扩散杂质源为
    A、溴化硼
    B、硼酸三甲脂
    C、B2H6
    D、BN

5、方块电阻的测量方法是
    A、四探针法
    B、三探针法
    C、热探针法
    D、光电导衰减法

6、能够使注入的离子偏转,中性原子被收集的是
    A、聚焦系统
    B、扫描四通
    C、中性束流陷阱
    D、扫描系统

7、能够挑选出唯一需要注入离子的部分是
    A、聚焦系统
    B、扫描系统
    C、离子源
    D、磁分析器

8、磁分析器挑选出来的离子,为了达到所需要的能量,通过要经过
    A、加速器或者加速管
    B、聚焦系统
    C、偏束板
    D、扫描系统

9、离子注入后,杂质的浓度分布基本符合
    A、余误差函数
    B、高斯函数
    C、线性函数
    D、抛物线性函数

10、由于注入的离子不一定恰好停在投影射程上,而是分散在周围,离散程度的表示参数为
    A、离子射程
    B、投影射程
    C、横向射程
    D、标准偏差

11、作为掺杂的几种方式中,适合低温工艺并不受固溶度限制的是
    A、扩散
    B、离子注入
    C、合金法
    D、生长法

12、锑扩散由于在硅中的扩散系数很小,常用于
    A、埋层扩散
    B、N型扩散
    C、发射区扩散
    D、基区扩散

13、生产中,将扩散分为两步,预淀积对应的是
    A、间隙式扩散
    B、恒定源扩散
    C、替位式扩散
    D、有限源扩散

14、替位式扩散的造纸原子一般与硅原子的直径差不多,因此扩散的速度
    A、较快
    B、较慢
    C、适中
    D、很快

15、在研究扩散规律中,非常重要的一个参数是
    A、扩散系数
    B、方块电阻
    C、结深
    D、表面浓度

16、在氧化性气氛中,由于硼和磷的扩散存在替位式扩散和间隙式扩散两种机制,因此容易出现
    A、内建电场效应
    B、氧化增强扩散效应(OED)
    C、霍尔效应
    D、发射区推进效应

17、热扩散的条件是
    A、温度
    B、浓度梯度
    C、杂质原子
    D、籽晶

18、根据扩散杂质在晶格中的位置不同,将扩散分为
    A、替位式扩散
    B、间隙式扩散
    C、有限源扩散
    D、恒定源扩散

19、根据扩散的过程可以分为
    A、替位式扩散
    B、间隙式扩散
    C、有限源扩散
    D、恒定源扩散

20、以下各种中影响杂质扩散的因素有哪些?
    A、内建电场
    B、基区陷落效应
    C、氧化增强扩散效应
    D、高浓度磷扩散

21、表征扩散质量的主要参数是:
    A、方块电阻
    B、结深
    C、表面质量
    D、表面浓度

22、结深的测量方法有
    A、磨角染色法
    B、滚槽法
    C、范德堡法
    D、四探针法

23、解决沟道效应的方法有
    A、镜片倾斜一定的角度
    B、在洁净硅表面铺一层非晶物质
    C、破坏表面硅原子的排列
    D、退火

24、退火的作用是
    A、激活杂质
    B、修复晶格损伤
    C、抑制沟道效应
    D、抑制鸟嘴效应

25、离子注入机根据能量和束流大小可以分为以下哪几类
    A、高能注入机
    B、低能注入机
    C、大束流注入机
    D、中束流注入机

26、方块电阻的单位是
    A、Ω.cm
    B、1/(Ω.cm)
    C、Ω/□
    D、mΩ/□

27、中,A与哪些因素有关?
    A、杂质分布类型
    B、衬底杂质浓度
    C、表面杂质浓度
    D、杂质种类

28、再分布扩散时,常常通入氧气,同时进行氧化过程,又称氧化推进工艺。

29、砷在半导体硅中主要作为复合中心,减少载流子寿命,提高器件开关速度

30、离子注入与扩散工艺相比,具有很好的均匀性,注入杂质纯度比较高,并且杂质浓度更容易控制。

31、离子注入中,投影射程及标准偏差,除了与材料有关外,还与注入能量有关。

32、靶室的一个重要任务就是监控离子注入剂量,可以利用法拉第杯的传感器来测量离子束电流。

33、将气体电离,产生离子,并通过吸极,形成离子束的是磁分析器。

34、离子源可以将气体电离,产生离子,并通过吸极,形成离子束。

35、杂质注入之后就会占据晶格位置,产生活性,参与导电。

36、当高能离子进入到硅片后,由于碰撞作用,使晶格原子离开原来的位置,出现晶格损伤。

37、离子注入通过扫描系统时,必须注意硅片表面的充电情况,因为它可能会发生击穿现象。

38、当注入的杂质种类、注入能量、靶材料级注入剂量之后,基本就能够确定杂质的纵向分布。

39、方块电阻与方块的尺寸有关,也与方块的结深有关。

40、离子注入中存在一个严重的问题,那就是通道效应。

41、有限源扩散杂质分布符合

42、在一定温度条件下,杂质原子由高浓度向低浓度运动的过程,称为

43、PN结所在的几何面到硅片表面的距离,称为

44、电流流经一个长宽相等,厚度为Xj的扩散层所显示出来的电阻,称为

45、离子注入过程中,离子穿入硅片的总距离,称为

46、由于衬底晶向排列比较规则,注入的离子没有与硅原子碰撞,穿入到硅衬底很深的位置的现象称

47、为了获得不同的结深,可以调节离子注入的参数是

48、普通热退火升温很慢,降温也很慢,会影响注入杂质的分布,因此我们常常采用

49、表面浓度始终固定不变,不可调节,但杂质总量是可调节的,该扩散是

50、扩散时,通常加入氧气,使的扩散进一步推进的是

第五章 单元作业

1、常见的几种液态硼源、磷源,固态硼源、磷源和气态硼源、磷源是什么?简要说明他们扩散的原理或者写出反应式。

2、简要叙述离子注入的过程?并写明离子注入机各部分的名称及作用?

第六章 平坦化和金属化技术

6.1 传统的平坦化技术随堂测验

1、传统的平坦化方法有
    A、反刻
    B、高温回流
    C、旋涂玻璃法
    D、退火

2、高温回流平坦化可应用于金属层间介质的平坦化

3、SOG的含义是

6.2 CMP 平坦化随堂测验

1、CMP主要的工艺参数有
    A、平整度
    B、均匀性
    C、磨除速率
    D、选择比

2、常用的终点检测方法有
    A、电动机电流法
    B、光学干涉法
    C、红外法
    D、比色法

3、以下哪些是影响CMP质量的主要因素
    A、抛光压力
    B、抛光液黏度
    C、抛光液PH值
    D、抛光液魔力尺寸、浓度及硬度

4、最常见的用于抛光氧化物的抛光液成分包括
    A、SiO2
    B、NaOH
    C、H2O
    D、H2O2

5、CMP既有机械研磨又有化学作用。

6、抛光头对硅片的压力越大越好,因为压力变大,磨除速率会提高。

7、常常用于非金属的抛光液是酸性。

8、抛光垫要经常更换,否则表面太光滑,磨除速率会降低。

9、CMP后要进行清洗,主要采用去离子水进行 冲洗。

10、能够实现全局平坦化的方法是

第六章单元测验

1、最常见的用于抛光氧化物的抛光液成分不包括
    A、二氧化硅颗粒
    B、氢氧化钠
    C、水
    D、盐酸

2、SOG平坦化技术不能实现
    A、平滑处理
    B、部分平坦化
    C、局部平坦化
    D、全局平坦化

3、SOG平坦化时常常采用三明治结构,其中淀积产生SiO2的方式是
    A、APCVD
    B、LPCVD
    C、PECVD
    D、PVD

4、平坦化时,先填充一层牺牲材料,再进行高处刻蚀的方法是
    A、反刻
    B、高温回流
    C、SOG
    D、CMP

5、铜互连的大马士革工艺中采用以下哪种技术
    A、反刻
    B、高温回流
    C、SOG
    D、CMP

6、CMP设备中,硅片是固定在
    A、抛光头
    B、抛光垫
    C、磨盘
    D、抛光液

7、采用离心力来填充图形地处,温度比较低,能够获得表面形貌的平滑效果的平坦化技术是
    A、高温回流
    B、反刻
    C、SOG
    D、CMP

8、根据平坦化的程度不同分为以下几种
    A、平滑处理
    B、部分平坦化
    C、局部平坦化
    D、全局平坦化

9、传统的平坦化方法有
    A、高温回流
    B、回蚀
    C、旋涂玻璃法
    D、固化法

10、CMP主要的工艺参数主要包括
    A、平整度
    B、研磨均匀性
    C、磨除速率
    D、选择比

11、CMP 工艺中,常用的终点检测方法有
    A、电动机电流终点检测
    B、光学干涉终点检测
    C、红外终点检测
    D、显微镜终点检测

12、以下哪些是影响CMP质量的主要因素
    A、抛光液的粘度、PH值
    B、抛光区域的温度
    C、抛光的压力
    D、抛光垫的表面粗糙度

13、CMP技术虽然有很多优点,但也有很多缺点,主要有
    A、影响CMP质量的因素很多,工艺很难控制
    B、引入新的杂质和缺陷
    C、需要开发额外的技术进行工艺控制和测量
    D、设备和消耗品费用昂贵,维护费用高

14、平坦化就是一种去除表面凹凸,使晶片表面保持平整平坦的工艺。

15、采用平坦化工艺可以得到更高的分辨率,使薄膜均匀化,减少缺陷,提高成品率。

16、高温回流平坦化可应用于金属层间介质的平坦化

17、抛光头对硅片的压力越大越好,因为压力变大,磨除速率会提高。

18、常常用于非金属的抛光液是酸性。

19、抛光垫要经常更换,否则表面太光滑,磨除速率会降低。

20、CMP后要进行清洗,主要采用去离子水进行 冲洗。

21、SOG的含义是

22、CMP的含义是

23、既有机械研磨又有化学作用,同时能实现全局平坦化的工艺是

24、CMP工艺中,借助于机械力将硅片表面经化学反应后产生的物质去除的是

25、CMP工艺中用于储存抛光液,并把它均匀运送到工件的整个加工区域的是

第六章 单元作业

1、常见的平坦化方法有哪些?简要说明他们的原理和应用

2、CMP质量的影响因素有哪些?简要说明怎样影响?

第七章 硅片的清洗技术

7.1 清洗技术随堂测验

1、一号清洗液的成分不包括下面哪一项
    A、HCl
    B、NH4OH
    C、H2O2
    D、H2O

2、硅片表面常见的沾污包括
    A、颗粒
    B、有机残余物
    C、金属离子
    D、自然氧化层

3、SC-3的成分主要是
    A、HCl
    B、H2SO4
    C、H2O2
    D、H2O

4、SC-2清洗液是碱性。

5、DHF清洗液主要去除金属离子。

6、干法清洗主要采用等离子体进行清洗,清洗效果比湿法清洗好,无污染。

7.2纯水制备技术随堂测验

1、半导体生产中常用的水(25℃)电阻率是
    A、18Ω.cm
    B、18MΩ.cm
    C、18KΩ.cm
    D、1.8MΩ.cm

2、以下方法中,哪些是纯水制备中常用的技术
    A、离子交换技术
    B、反渗透技术
    C、电渗析技术
    D、电去离子技术

3、纯水制备中的RO装置是

第七章 单元测验

1、每立方英尺中所含直径大于0.5um颗粒数量小于1000,那么该环境的洁净等级为
    A、10级
    B、100级
    C、1000级
    D、10000级

2、DHF清洗液主要用于去除硅片表面的
    A、金属离子
    B、颗粒
    C、有机残余物
    D、自然氧化物

3、半导体生产中常用的水(25℃)电阻率是
    A、18MΩ.cm
    B、18Ω.cm
    C、18kΩ.cm
    D、1.8Ω.cm

4、纯水制备中的RO装置是
    A、反渗透装置
    B、过滤装置
    C、粗过滤器
    D、反压调节器

5、利用含有较高能量的呈束流状的物质流(能量流)与硅片表面的沾污杂质发生的作用而清除硅片表面杂质的技术为
    A、气相清洗
    B、束流清洗
    C、RCA清洗
    D、超声波清洗

6、硅片表面常见的沾污包括
    A、颗粒
    B、有机残余物
    C、金属离子
    D、自然氧化物

7、SC-3的成分主要是
    A、H2SO4
    B、HCl
    C、H2O2
    D、HF

8、以下方法中,哪些是纯水制备中常用的技术
    A、离子交换技术
    B、反渗透技术
    C、电渗析技术
    D、电去离子技术

9、RCA常用的几种清洗液包括
    A、SC-1
    B、SC-2
    C、SC-3
    D、DHF

10、以下清洗液中,可以去除有机残余物的是
    A、SC-1
    B、SC-2
    C、SC-3
    D、DHF

11、过滤器根据过滤效率一般可分为
    A、粗过滤器
    B、中效过滤器
    C、亚高效过滤器
    D、高效过滤器

12、所有的物品进入生产之前都必须进行清洁处理才能带入操作间。

13、集成电路的集成度越高,特征尺寸越小,对洁净度的要求越高。

14、净化设备中最核心的是过滤器。

15、对于洁净度高的要求利用高效过滤器,对于洁净度低的采用粗过滤器

16、SC-2清洗液是碱性。

17、干法清洗主要采用等离子体进行清洗,清洗效果比湿法清洗好,无污染。

18、UV/O3清洗是指在利用臭氧和紫外线进行清洗和杀菌的技术。

19、目前多数清洗都是局部清洗,我们希望将晶圆真个进行清洗。

20、硅片表面的颗粒沾污一方面来自净化间外带来的颗粒、净化服中的纤维,一方面是来自制造工艺引入,例如设备、原材料等等。

21、静电荷从一个物体向另一个物体流动,不受控制,通常由摩擦产生的是过程是

22、清洗硅片的原则是去除硅片表面的杂质和沾污和

23、DHF的主要成分是水和

24、一般是指不采用溶液的清洗技术为

25、利用850kHz的声波进行清洗的技术称为

第八章 组装工艺

8.1 芯片组装工艺流程随堂测验

1、背面减薄的目的是减少体硅的串联电阻,有利于散热。

2、划片的流程主要包括背面贴膜-金刚石刀锯或激光切割、裂片、挑片、镜检分类。

3、导电胶粘贴的热稳定性好,工艺比较复杂。

4、将芯片的有源区朝上,背对基板进行粘贴的工艺称为

5、将集成电路安装或者互连到柔性的金属化聚合物载带上的芯片键合技术称为

8.2 引线键合技术随堂测验

1、根据键合时的加热方式分类,键合分为
    A、热压键合
    B、超声键合
    C、热压超声键合
    D、球形键合

2、引线键合的参数主要包括
    A、键合温度
    B、键合时间
    C、超声功率
    D、键合压力

3、利用超声键合可以降低键合的温度。

4、键合时必须将表面清理干净。

5、键合时用到的工具称为

8.3 封装技术随堂测验

1、封装的材料常见的有
    A、塑料
    B、金属
    C、陶瓷
    D、半导体

2、CSP的含义是

3、SOP的含义是

4、BGA的含义是

5、WLP的含义是

第八章 单元测验

1、键合时用到的工具称为
    A、毛细劈刀
    B、键合机
    C、塑封机
    D、焊接料

2、目前集成电路芯片封装材料应用最广泛的是
    A、塑料
    B、玻璃
    C、陶瓷
    D、金属

3、以下各项不属于严重的键合质量问题的是
    A、漏键
    B、拉力不够
    C、高尔夫球和塌丝
    D、键合形状不好

4、键合质量的好坏通常通过破坏性实验 进行判定,常见的有键合剪切力实验和
    A、BST
    B、键合拉力测试
    C、表面形貌测试
    D、显微镜测试

5、将一种由两个或多个以上裸芯片或者CSP封装的芯片组装在一个基板上的模块,组成一个电子系统的封装形式为
    A、WLP
    B、CSP
    C、BGA
    D、MCM

6、根据键合时的加热方式分类,键合分为
    A、热压键合
    B、超声波键合
    C、热压超声波键合
    D、球形键合

7、引线键合的参数主要包括
    A、键合温度
    B、键合时间
    C、超声功率
    D、键合压力

8、封装的材料常见的有
    A、金属
    B、陶瓷
    C、塑料
    D、半导体

9、划片常采用的工具是
    A、金刚刀
    B、激光
    C、劈刀
    D、键合机

10、常见的芯片粘贴方式为
    A、共晶粘贴
    B、焊接粘贴
    C、导电胶粘贴
    D、玻璃胶粘贴

11、目前常用的键合材料主要有
    A、钛丝
    B、金丝
    C、铝丝
    D、铜丝

12、背面减薄的目的是减少体硅的串联电阻,有利于散热。

13、划片的流程主要包括背面贴膜-金刚石刀锯或激光切割、裂片、挑片、镜检分类。

14、导电胶粘贴的热稳定性好,工艺比较复杂。

15、利用超声键合可以降低键合的温度。

16、键合时必须将表面清理干净。

17、球形键合一般采用直径为75um以下的细金丝,因为它在高温下容易变形、抗氧化性好,成球性好。

18、为了提高封装的密度,现在出现了3D封装形式。

19、将芯片的有源区朝上,背对基板进行粘贴的工艺称为

20、将集成电路安装或者互连到柔性的金属化聚合物载带上的芯片键合技术称为

21、CSP的含义是

22、SOP的含义是

23、BGA的含义是

24、WLP的含义是

25、根据焊点的形状,引线键合有两种基本形式,分别是球形键合和

第九章 集成电路测试与可靠性分析

9.1 集成电路测试随堂测验

1、用户接受测试主要是对集成电路的使用寿命进行测试

2、硅片制造完成后,封装之前检验硅片上每个芯片是否合格的测试是

3、封装完成后对芯片各项电学参数的测试是

9.2 集成电路可靠性分析随堂测验

1、根据失效变化规律,将产品是的工作时间分为
    A、早期失效期
    B、偶然失效期
    C、损耗失效期
    D、现场试验期

2、工作寿命试验又称老化试验,是为了了解器件寿命的规律。

3、集成电路失效分析必须要做好原始记录、判定失效模式,对失效特征进行描述并假设失效机理,最后经过分析证实,并提出改进措施。

4、集成电路失效率随时间变化的曲线称为

第九章 单元测验

1、硅片制造完成后,封装之前检验硅片上每个芯片是否合格的测试是
    A、晶圆测试
    B、成品测试
    C、可靠性测试
    D、用户接受测试

2、封装完成后对芯片各项电学参数的测试是
    A、晶圆测试
    B、成品测试
    C、可靠性测试
    D、用户接受测试

3、根据失效变化规律,将产品是的工作时间分为几个阶段,下列选项中哪个不属于其中的某一个阶段的
    A、早期失效期
    B、偶然失效期
    C、损耗失效期
    D、后期失效期

4、集成电路失效率随时间变化的曲线称为
    A、浴盆曲线
    B、靠背椅曲线
    C、抛物线
    D、线性曲线

5、生产前对集成电路进行逻辑设计和物理版图的检验的测试过程为
    A、设计验证测试
    B、工艺监控测试
    C、晶圆测试
    D、成品测试

6、下列哪些项目不属于根据集成电路项目进行分类中内容
    A、功能测试
    B、直流参数测试
    C、交流参数测试
    D、晶圆测试

7、在规定时间和规定条件下,完成规定功能的概率,该参数是
    A、可靠性
    B、可靠度
    C、失效率
    D、平均寿命

8、用户接受测试主要是对集成电路的使用寿命进行测试

9、工作寿命试验又称老化试验,是为了了解器件寿命的规律。

10、集成电路失效分析必须要做好原始记录、判定失效模式,对失效特征进行描述并假设失效机理,最后经过分析证实,并提出改进措施。

11、晶圆测试是利用测试测试机台、探针台、探针卡之间的组合来测试晶圆上每一个芯片。

12、硅片的直径大小,芯片尺寸的增加、工艺步骤的增加,特征尺寸的减小和工艺的成熟性都直接影响到成品率。

13、集成电路可靠性是指在一定的时间内,在规定的条件下,完成规定功能的能力。

14、可靠度是指单位时间内失效的电路数同该段时间内正常工作的电路总数。

15、集成电路的失效有很多,例如硅片缺陷、金属化工艺、键合、封装、可移动钠离子沾污以及工作的条件等等。

第十章 集成电路的工艺设计与仿真

第十章 单元测验

1、SILVACO TCAD软件中,用于仿真工艺参数和工艺结构的模块是
    A、ATLAS
    B、ATHENA
    C、CADENCE
    D、SPECTRE

2、SILVACO TCAD软件中用于仿真器件参数和伏安特性曲线的模块是
    A、ATLAS
    B、ATHENA
    C、CADENCE
    D、SPECTRE

3、利用SILVACO TCAD软件进行工艺仿真时,不可以EXTRAC的参数是
    A、方块电阻
    B、结深
    C、阈值电压
    D、电阻率大小

4、如果设计的参数不符合要求,可以通过SIVACO TCAD中的优化功能进行优化。

5、利用SILVACO TCAD软件可以实现2D和3D结构的仿真。

综合测试

期末综合测试

1、使用有机溶剂(organic solvent)清洗时,按 的顺序进行才能收到良好的效果。
    A、甲苯 → 丙酮 → 乙醇
    B、乙醇 → 丙酮 → 甲苯(
    C、丙酮 → 甲苯 → 乙醇
    D、甲苯 → 乙醇 → 丙酮

2、Junction depth的意思是
    A、方块电阻
    B、结深
    C、电阻率
    D、电导率

3、以下各项中不属于Ⅱ号cleaning solution的成分有:
    A、H2O2
    B、H2O
    C、HCl
    D、NH4OH

4、从离子源引出的各种I离子中分析出所需要注入的离子,成为单一元素的Ion Beam束的部件是
    A、磁分析器
    B、离子源
    C、聚焦系统
    D、中性束流陷阱

5、有限源扩散的杂质分布在数学上称为 分布
    A、余误差函数
    B、指数
    C、高斯函数
    D、线性

6、单晶硅Conductive type测量的方法是: 。
    A、磨角染色法
    B、热探针法
    C、滚槽法
    D、扫描法

7、电子束蒸发(Electron beam evaporation)比普通电阻丝加热蒸发增加了一个 。
    A、电阻丝
    B、热丝
    C、真空系统
    D、偏转电子枪

8、LPCVD淀积SiO2温度适中(700-800℃),对杂质再分布影响小, 。
    A、适用于GaAs材料
    B、适用于已形成PN结但还未做金属化的硅器件工艺
    C、适应于Al材料
    D、适用于已形成PN结的硅器件工艺

9、以下各项中不属于氧化膜表面的缺陷(Defects)有:
    A、斑点
    B、裂纹
    C、白雾
    D、层错

10、溅射(Sputtering)是由 轰击靶材表面,使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。
    A、高能离子
    B、电子
    C、中性粒子
    D、负离子

11、扩散结深(Diffusion junction depth)主要受温度、时间、流量响, 影响最大
    A、温度
    B、浓度
    C、时间
    D、气体流量

12、氮化硅腐蚀一般采用以 为基础的水溶液。
    A、盐酸
    B、磷酸
    C、氢氟酸
    D、硫酸

13、1号液是 过氧化氢清洗液
    A、碱性
    B、酸性
    C、混合型
    D、中性

14、以下各项中不属于影响气相外延(VPE)生长速率的因素有:
    A、时间
    B、反应温度
    C、四氯化硅浓度
    D、衬底晶向

15、以下各项不属于最常用的金属薄膜制备(Metal Film preparation)方法有:
    A、PVD(物理气相淀积)
    B、Sputtering(溅射)
    C、Thermal Oxidation(热氧化)
    D、Evaporation(蒸发)

16、DIFF的哪道工艺的缩写?
    A、氧化
    B、离子注入
    C、生长法
    D、扩散

17、PR的意思是
    A、光刻
    B、刻蚀
    C、光刻胶
    D、增粘剂

18、PECVD的含义是
    A、光化学气相淀积
    B、等离子体增强化学气相淀积
    C、低压化学气相淀积
    D、常压化学气相淀积

19、RTP的含义是
    A、快速热退火
    B、快速热处理
    C、反应离子刻蚀
    D、等离子体刻蚀

20、Align & Exposure的含义是
    A、对准和曝光
    B、光刻和刻蚀
    C、光刻和光刻胶
    D、软烘和坚膜

21、常见的去胶方法有
    A、溶剂去胶
    B、氧化去胶
    C、等离子体去胶
    D、刻蚀去胶

22、二氧化硅厚度的测量方法有
    A、比色法
    B、红外法
    C、光学干涉法
    D、椭圆偏振法

23、CZ法制备单晶硅时,常见的crystal pulling过程分为下种、缩颈和
    A、放肩
    B、等径生长
    C、收尾拉光
    D、转肩

24、以下各项中属于氧化膜表面的Defects有
    A、层错
    B、白雾
    C、斑点
    D、裂纹

25、最常用的金属薄膜制备方法有
    A、电阻加热蒸发
    B、电子束蒸发
    C、溅射
    D、热氧化

26、光刻胶的性能指标包括
    A、灵敏度
    B、分辨率
    C、抗蚀性
    D、粘附性

27、以下是影响气相外延生长速率的因素有
    A、时间
    B、温度
    C、晶向
    D、四氯化碳浓度

28、硅外延生长工艺包括
    A、衬底制备
    B、原位HCl腐蚀
    C、生长温度、压力、速度
    D、尾气处理

29、光刻工艺的三要素是
    A、光刻胶
    B、曝光机
    C、掩膜版
    D、显影液

30、扩散结深的测量方法
    A、磨角法
    B、滚槽法
    C、四探针法
    D、热探针法

31、Ⅱ号清洗液的成分有
    A、H2O2
    B、H2O
    C、HCl
    D、HF

32、CVD主要用于金属薄膜材料的淀积。

33、一般湿法刻蚀是各向同性,而干法刻蚀则是各向异性。

34、硅的湿法刻蚀腐蚀液为热磷酸,干法刻蚀所用的气体为NF3

35、在干法刻蚀中,适当的掺杂氢原子会降低刻蚀速度,而掺杂氧原子则会提高刻蚀速度。

36、高温回流只能用于金属前介质,不能应用于层间介质。

37、二氧化硅强比氮化硅介电强度高,可得到更高的击穿电压。

38、金属铝互连时,常常采用双大马士革工艺。

39、在半导体器件和集成电路的制造过程中都需要进行多次光刻,每次光刻的图形必须相互套准,这些图形边缘间最小的距离就称为套刻对准。

40、离子注入后,硅片晶格结构遭到破坏,因此需要通过退火进行修复。

41、采用氢氧合成的热氧化时,反应之前一定要先用氢气进行充气,然后才能工作。结束时,也要将残留的气体清除干净。

42、在淀积好金属层之外,通常采用LPCVD法来淀积SiO2。

43、有机残余物杂质通常会造成氧化层击穿、PN结漏电、阈值电压偏移。

44、铝比铜的电阻率更低,因而铝互连功耗更小,芯片速度更快。

45、离子注入的结深主要有注入的能量决定,杂质浓度分布是由剂量决定。

46、氢氧合成氧化时,氢氧的比例必须小于2:1,否则容易出现爆炸。

47、电流流经一个长宽相等,厚度为Xj的扩散薄层所显示出来的电阻称为:__________。

48、离子注入后,晶格结构会产生损伤,因此需要进行__________工艺。

49、如果要生长厚度为1000埃的二氧化硅,需要消耗厚度为__________埃的硅。

50、能够实现全局平坦化的技术是__________。

51、通常生产中制备单晶硅的方法有__________和__________。

52、CMOS制造工艺中用于制作场氧化层的技术为__________。

53、由于铝硅互溶产生的铝互连问题为__________。

54、为了防止铝互连过程中,铝硅出现肖特基接触,常常在电极引出部分采__________掺杂。

55、钨具有高的深宽比填充能力,常常在金属互连中作为_______。

56、生产中常常采用的热氧化方法是__________。

57、几种掺杂方式中,比较适合浅结制作的是__________。

58、根据生产的过程,扩散常常分为__________和__________。

59、注入的ions恰好在晶格间隙中穿梭,与硅原子发生的碰撞较少,因此能量损失的较少,他们可以在硅中穿透得很深,这种现象称为 。

60、一般光刻采用的光源(light source )是__________,产生此光源的有__________和__________。

61、硅片表面常见的沾污(Contamination)主要有:颗粒、 、金属离子、 和静电释放。

62、电荷数为2的正离子在100kV的电场中运动,注入的能量(Energy)是__________。

63、目前常见的Isolation technology主要有: 和__________。

64、LOCOS不仅可以实现隔离还会出现 。

65、铝互连(Aluminum Interconnectio)经常出现的问题是 和 。

66、离子注入(Ion Implant)后需要退火(Annealing),Annealing的目的是消除晶格损伤和 。

综合测试

期末综合测试

1、使用有机溶剂(organic solvent)清洗时,按 的顺序进行才能收到良好的效果。
    A、甲苯 → 丙酮 → 乙醇
    B、乙醇 → 丙酮 → 甲苯(
    C、丙酮 → 甲苯 → 乙醇
    D、甲苯 → 乙醇 → 丙酮

2、Junction depth的意思是
    A、方块电阻
    B、结深
    C、电阻率
    D、电导率

3、以下各项中不属于Ⅱ号cleaning solution的成分有:
    A、H2O2
    B、H2O
    C、HCl
    D、NH4OH

4、从离子源引出的各种I离子中分析出所需要注入的离子,成为单一元素的Ion Beam束的部件是
    A、磁分析器
    B、离子源
    C、聚焦系统
    D、中性束流陷阱

5、有限源扩散的杂质分布在数学上称为 分布
    A、余误差函数
    B、指数
    C、高斯函数
    D、线性

6、单晶硅Conductive type测量的方法是: 。
    A、磨角染色法
    B、热探针法
    C、滚槽法
    D、扫描法

7、电子束蒸发(Electron beam evaporation)比普通电阻丝加热蒸发增加了一个 。
    A、电阻丝
    B、热丝
    C、真空系统
    D、偏转电子枪

8、LPCVD淀积SiO2温度适中(700-800℃),对杂质再分布影响小, 。
    A、适用于GaAs材料
    B、适用于已形成PN结但还未做金属化的硅器件工艺
    C、适应于Al材料
    D、适用于已形成PN结的硅器件工艺

9、以下各项中不属于氧化膜表面的缺陷(Defects)有:
    A、斑点
    B、裂纹
    C、白雾
    D、层错

10、溅射(Sputtering)是由 轰击靶材表面,使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。
    A、高能离子
    B、电子
    C、中性粒子
    D、负离子

11、扩散结深(Diffusion junction depth)主要受温度、时间、流量响, 影响最大
    A、温度
    B、浓度
    C、时间
    D、气体流量

12、氮化硅腐蚀一般采用以 为基础的水溶液。
    A、盐酸
    B、磷酸
    C、氢氟酸
    D、硫酸

13、1号液是 过氧化氢清洗液
    A、碱性
    B、酸性
    C、混合型
    D、中性

14、以下各项中不属于影响气相外延(VPE)生长速率的因素有:
    A、时间
    B、反应温度
    C、四氯化硅浓度
    D、衬底晶向

15、以下各项不属于最常用的金属薄膜制备(Metal Film preparation)方法有:
    A、PVD(物理气相淀积)
    B、Sputtering(溅射)
    C、Thermal Oxidation(热氧化)
    D、Evaporation(蒸发)

16、DIFF的哪道工艺的缩写?
    A、氧化
    B、离子注入
    C、生长法
    D、扩散

17、PR的意思是
    A、光刻
    B、刻蚀
    C、光刻胶
    D、增粘剂

18、PECVD的含义是
    A、光化学气相淀积
    B、等离子体增强化学气相淀积
    C、低压化学气相淀积
    D、常压化学气相淀积

19、RTP的含义是
    A、快速热退火
    B、快速热处理
    C、反应离子刻蚀
    D、等离子体刻蚀

20、Align & Exposure的含义是
    A、对准和曝光
    B、光刻和刻蚀
    C、光刻和光刻胶
    D、软烘和坚膜

21、常见的去胶方法有
    A、溶剂去胶
    B、氧化去胶
    C、等离子体去胶
    D、刻蚀去胶

22、二氧化硅厚度的测量方法有
    A、比色法
    B、红外法
    C、光学干涉法
    D、椭圆偏振法

23、CZ法制备单晶硅时,常见的crystal pulling过程分为下种、缩颈和
    A、放肩
    B、等径生长
    C、收尾拉光
    D、转肩

24、以下各项中属于氧化膜表面的Defects有
    A、层错
    B、白雾
    C、斑点
    D、裂纹

25、最常用的金属薄膜制备方法有
    A、电阻加热蒸发
    B、电子束蒸发
    C、溅射
    D、热氧化

26、光刻胶的性能指标包括
    A、灵敏度
    B、分辨率
    C、抗蚀性
    D、粘附性

27、以下是影响气相外延生长速率的因素有
    A、时间
    B、温度
    C、晶向
    D、四氯化碳浓度

28、硅外延生长工艺包括
    A、衬底制备
    B、原位HCl腐蚀
    C、生长温度、压力、速度
    D、尾气处理

29、光刻工艺的三要素是
    A、光刻胶
    B、曝光机
    C、掩膜版
    D、显影液

30、扩散结深的测量方法
    A、磨角法
    B、滚槽法
    C、四探针法
    D、热探针法

31、Ⅱ号清洗液的成分有
    A、H2O2
    B、H2O
    C、HCl
    D、HF

32、CVD主要用于金属薄膜材料的淀积。

33、一般湿法刻蚀是各向同性,而干法刻蚀则是各向异性。

34、硅的湿法刻蚀腐蚀液为热磷酸,干法刻蚀所用的气体为NF3

35、在干法刻蚀中,适当的掺杂氢原子会降低刻蚀速度,而掺杂氧原子则会提高刻蚀速度。

36、高温回流只能用于金属前介质,不能应用于层间介质。

37、二氧化硅强比氮化硅介电强度高,可得到更高的击穿电压。

38、金属铝互连时,常常采用双大马士革工艺。

39、在半导体器件和集成电路的制造过程中都需要进行多次光刻,每次光刻的图形必须相互套准,这些图形边缘间最小的距离就称为套刻对准。

40、离子注入后,硅片晶格结构遭到破坏,因此需要通过退火进行修复。

41、采用氢氧合成的热氧化时,反应之前一定要先用氢气进行充气,然后才能工作。结束时,也要将残留的气体清除干净。

42、在淀积好金属层之外,通常采用LPCVD法来淀积SiO2。

43、有机残余物杂质通常会造成氧化层击穿、PN结漏电、阈值电压偏移。

44、铝比铜的电阻率更低,因而铝互连功耗更小,芯片速度更快。

45、离子注入的结深主要有注入的能量决定,杂质浓度分布是由剂量决定。

46、氢氧合成氧化时,氢氧的比例必须小于2:1,否则容易出现爆炸。

47、电流流经一个长宽相等,厚度为Xj的扩散薄层所显示出来的电阻称为:__________。

48、离子注入后,晶格结构会产生损伤,因此需要进行__________工艺。

49、如果要生长厚度为1000埃的二氧化硅,需要消耗厚度为__________埃的硅。

50、能够实现全局平坦化的技术是__________。

51、通常生产中制备单晶硅的方法有__________和__________。

52、CMOS制造工艺中用于制作场氧化层的技术为__________。

53、由于铝硅互溶产生的铝互连问题为__________。

54、为了防止铝互连过程中,铝硅出现肖特基接触,常常在电极引出部分采__________掺杂。

55、钨具有高的深宽比填充能力,常常在金属互连中作为_______。

56、生产中常常采用的热氧化方法是__________。

57、几种掺杂方式中,比较适合浅结制作的是__________。

58、根据生产的过程,扩散常常分为__________和__________。

59、注入的ions恰好在晶格间隙中穿梭,与硅原子发生的碰撞较少,因此能量损失的较少,他们可以在硅中穿透得很深,这种现象称为 。

60、一般光刻采用的光源(light source )是__________,产生此光源的有__________和__________。

61、硅片表面常见的沾污(Contamination)主要有:颗粒、 、金属离子、 和静电释放。

62、电荷数为2的正离子在100kV的电场中运动,注入的能量(Energy)是__________。

63、目前常见的Isolation technology主要有: 和__________。

64、LOCOS不仅可以实现隔离还会出现 。

65、铝互连(Aluminum Interconnectio)经常出现的问题是 和 。

66、离子注入(Ion Implant)后需要退火(Annealing),Annealing的目的是消除晶格损伤和 。